Модель слоев аморфного селена

В работе Ли и Регенсбургера предложена теоретическая модель, объясняющая характеристики фотоиндуцированного разряда ксерографических слоев аморфного селена. Эта модель учитывает не только движение носителей в объеме, но и рекомбинацию фотогенерированных дырок и электронов. Был рассмотрен случай только сильного поглощения света на поверхности фотопроводящего слоя изолятора, что характерно для аморфного селена при освещении его светом в области максимума фоточувствительности (т. е. для к «s 400 ммк). При этих условиях только один тип носителей становится подвижным, поскольку рассматривается проводимость в объеме слоя. Так, при положительном поверхностном заряде в объем слоя из тонкой поверхностной области, где происходит поглощение, инжектируются только дырки. Часть электронов и дырок рекомбинирует в области поглощения. Оставшиеся носители разделяются электрическим полем, причем электроны дрейфуют к поверхности, чтобы нейтрализовать положительные поверхностные заряды, а дырки движутся в противоположном направлении. Часть дырок проходит через весь слой, а часть захватывается ловушками. Таким образом, поверхностный потенциал V(t) может быть представлен в виде Остаточный потенциал в рамках этой теории соответствует установившемуся состоянию, когда плотность захваченных дырок постоянна, а ток, или скорость разряда, обусловлен относительно медленным процессом освобождения ловушек. В этих условиях поле в области поглощения уменьшается почти до нуля, а рекомбинация увеличивается и становится равной 100%. Рассмотренная теория не учитывает влияния барьеров внутри селенового слоя. Тот факт, что она дает согласие с экспериментальными данными без рассмотрения межмолекулярных барьеров, свидетельствует либо об отсутствии этих барьеров в аморфном селене, либо об их незначительном влиянии на перенос носителей в слое.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *